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第三代半导体行将到来耐威科技或将三线齐进丨亿欧解事例

  发布时间:2021-12-16 12:08:01 | 作者:米乐游戏官网
  

  近来,有着“价格屠夫”称谓的小米召开了线上新品发布会。除了冲刺高端商场的新款手机,发布会上一款不起眼的周边产品,却悄然敞开了一轮半导体新资料职业的盛宴。

  发布会后,小米将GaN氮化镓半导体,带到了群众面前。也让其死后的很多半导体企业遭到群众重视。耐威科技便是其中之一家从事氮化镓半导体出产的企业。

  耐威科技于2008年在北京建立,从事惯性导航体系及卫星导航产品的研制、出产与出售作业。通过多年开展,耐威科技构成了一套全掩盖的导航体系事务,并于2015年在深交所上市。

  2008-2016年间,耐威科技专心导航与航空电子的事务。依托此,耐威科技的营收与赢利一向处于平稳增加状况。但在专心导航事务的一起,耐威科技发现,频频与高质量的信号传输都离不开MEMS。

  MEMS是指运用半导体出产工艺结构的微型器材或体系。它一般集微传感器、信号处理和控制电路、微执行器、通讯接口和电源等部件于一体,尺度巨细一般在微米级至毫米级之间。

  MEMS可将电子体系与周围环境有机结合在一起,微传感器接纳运动、光、热、声、磁等信号,信号再被转换成能够被电子体系辨认、处理的电信号,部分MEMS器材可通过微执行器完结对外部介质的操作。

  Silex具有8英寸与6英寸两条独立的MEMS出产线,在加速度计、陀螺仪和其他微型传感器技能方面有深沉的堆集。Silex的客户包含工业、轿车、生物医疗、通讯、消费电子等多个范畴。耐威科技也因而一跃成为MEMS芯片全球代工龙头。

  与此一起,耐威科技的产能运用率也在不断提高,2018年产能运用率高达98.52%。且近期瑞典产线的MEMS订单极多,出产排期现已超越14个月。短期内,耐威科技MEMS代工全球龙头的位置无人可撼动。

  此外,耐威科技本身在MEMS制作工艺技能方面也有较深沉的堆集。收买完结之后,据耐威科技2019年12月初的音讯,耐威科技“8英寸MEMS世界代工线年后到达稳定时。

  该项目现在方案完结每月1万片产能,估计满产后可增加经营收入7-8亿,未来有望完结每月3万片产能。北京产线建造完结后,赛莱克斯北京将与瑞典Silex构成优势互补。这条产线也将为本乡的MEMS传感器企业供给重要的支撑。

  近两年,耐威科技严密环绕物联网和特种电子两大工业链,大力开展MEMS、导航、航空电子三大中心事务。与此一起,耐威科技也在活跃布局第三代半导体等潜力事务。

  第三代半导体资料及器材首要包含碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等资料,以及在其基础上开发制作的相应器材。因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体资料。

  与榜首、二代半导体资料硅(Si)和砷化镓(GaAs)比较,第三代半导体资料及器材具有高热导率、高击穿场强、高饱满电子速率等长处,能够满意现代电子技能对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。跟着5G年代的到来及物联网工业的开展,第三代半导体资料及器材行将迎来巨大的商场运用远景。

  第三代半导体职业是在硅基电力电子器材逐步挨近其理论极限值布景下,诞生的新一代电子信息技能革命的新式职业,现在该职业还归于草创期,各方企业简直都处于同一起跑线上。

  为了与时刻赛跑,耐威科技在即墨出资设立了聚能晶源公司,专心GaN外延资料的研制成长;在崂山出资设立了聚能创芯公司,专心GaN器材的开发规划。从入驻到项目建成投产,聚能晶源只是用了一年多的时刻。

  在第三代半导体事务布局方面,耐威科技现在首要专心氮化镓(GaN)资料的成长与器材的规划范畴。耐威科技已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆,且正在继续研制氮化镓器材。据了解,该资料及器材可广泛运用于5G通讯、云核算、数据中心、新式电源等范畴。一旦完结研制,将具有先发优势。

  以聚能晶源此前展现的HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低外表粗糙度、高一致性的资料特色。一起具有低导通电阻、高耐压的电学特性。值得一提的是,聚能晶源GaN外延晶圆具有优异的资料可靠性,依据规范TDDB测验办法,其在标称耐压值下的长时有用寿数到达了10的9次方小时,处于世界业界领先水平。

  依据MarketsandMarkets猜测,到2023年,功率氮化镓商场规划将到达4.23亿美元,复合增加率为93%。我国很多企业也已开端此布局。国家集成电路工业大基金、北京集成电路工业基金也给与了很多资金支撑。

  耐威科技董事长杨云春对此也充满了决心。他屡次表明,公司在青岛会继续建造第三代半导体资料出产基地及器材规划中心,在规划与体量上再造一个耐威。

  新资料的发现往往比新技能的运用更为重要,假如GaN外延晶圆得以批量运用,我国在开发GaN器材时可完结高性能、高一致性、高良率、高可靠性等优势,可协助国产代替抢占第三代半导体器材范畴的竞赛先机。